蘇美達國際技術(shù)貿(mào)易 對下列產(chǎn)品及服務(wù)進行國際公開競爭性招標，于2024-05-10在公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現(xiàn)邀請合格投標人參加投標。1、招標條件項目概況:設(shè)備名稱：低應(yīng)力氮化硅生長爐、原位摻雜多晶硅生長爐設(shè)備數(shù)量：設(shè)備1 原位摻雜多晶硅生長爐（1臺）：包含低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/原位摻雜多晶硅工藝模塊和TEOS工藝模塊；設(shè)備2 低應(yīng)力氮化硅生長爐（1臺）：包含低應(yīng)力氮化硅工藝模塊和氮化硅工藝模塊。設(shè)備用途：用于生長低應(yīng)力氮化硅/原位摻雜多晶硅/低應(yīng)力多晶硅/多晶硅/TEOS薄膜。資金到位或資金來源落實情況:已到位項目已具備招標條件的說明:已具備2、招標內(nèi)容招標項目編號:0664-2440SUMECF28/06招標項目名稱:8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線之低應(yīng)力氮化硅生長爐和原位摻雜多晶硅生長爐項目實施地點:中國安徽省招標產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):

序號	產(chǎn)品名稱	數(shù)量	簡要技術(shù)規(guī)格	備注
1	低應(yīng)力氮化硅生長爐	1	薄膜應(yīng)力范圍 -40~＋40MPa (4μm Poly退火后，應(yīng)力可調(diào))。其他參數(shù)詳見第八章	無
2	原位摻雜多晶硅生長爐	1	應(yīng)力范圍 -100~0MPa，應(yīng)力可調(diào)。其他參數(shù)詳見第八章	無

3、投標人資格要求投標人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:①　投標人如為境內(nèi)企業(yè)，提供企業(yè)法人營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書，如為境外企業(yè)提供企業(yè)注冊登記證。②　投標人可以是設(shè)備制造廠家，也可以是設(shè)備授權(quán)代理商，代理商需有設(shè)備原廠家的有效授權(quán)書。③　投標人開戶行開具的，出具日期在開標前三個月內(nèi)的資信證明原件或該原件的復(fù)印件。④　投標人需要具有履行合同所必需的設(shè)備技術(shù)支持和服務(wù)能力（提供承諾書，格式自理）。⑤　單位負責人授權(quán)書原件。是否接受聯(lián)合體投標:不接受未領(lǐng)購招標文件是否可以參加投標:不可以4、
未曾在中國電力招標采購網(wǎng)（）上注冊會員的單位應(yīng)先注冊。登錄成功后根據(jù)招標公告的相說明下載投標文件！

項目 聯(lián)系人：李楊  
咨詢電話：010-51957458 
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備注：欲購買招標文件的潛在投標人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務(wù)費后，查看項目業(yè)主，招標公告，中標公示等，并下載資格預(yù)審范圍，資質(zhì)要求，招標清單，報名申請表等。為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內(nèi)容為準，以招標業(yè)主的解答為準本。

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