對下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國際公開競爭性招標(biāo),于2025-04-22在公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式,現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。1、招標(biāo)條件項(xiàng)目概況:甬江實(shí)驗(yàn)室因發(fā)展需要,需采購電子顯微鏡等設(shè)備共8臺。資金到位或資金來源落實(shí)情況:項(xiàng)目所需資金已經(jīng)落實(shí)。項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說明:項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件。2、招標(biāo)內(nèi)容招標(biāo)項(xiàng)目編號:0762-2540CBNB2007招標(biāo)項(xiàng)目名稱:甬江實(shí)驗(yàn)室采購電子顯微鏡等設(shè)備項(xiàng)目(第一批)項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國浙江省招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
3、投標(biāo)人資格要求投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績:投標(biāo)人必須是投標(biāo)產(chǎn)品【300千伏電子單色雙球差校正透射電子顯微鏡、200千伏高分辨場發(fā)射透射電鏡、聚焦離子束掃描電子顯微鏡(Xe)、多功能高分辨率場發(fā)射掃描電鏡、多功能環(huán)境真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡、超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡】的制造商或投標(biāo)產(chǎn)品的制造商授權(quán)的代理商,如為代理商需提供制造商針對本項(xiàng)目的授權(quán)書是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受未領(lǐng)購招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以4、
未曾在中國電力招標(biāo)采購網(wǎng)()上注冊會員的單位應(yīng)先注冊。登錄成功后根據(jù)招標(biāo)公告的相說明下載投標(biāo)文件!
項(xiàng)目 聯(lián)系人:李楊
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微信:Li13683233285 郵箱:1211306049@qq.com
備注:欲購買招標(biāo)文件的潛在投標(biāo)人,注冊網(wǎng)站并繳納因特網(wǎng)技術(shù)服務(wù)費(fèi)后,查看項(xiàng)目業(yè)主,招標(biāo)公告,中標(biāo)公示等,并下載資格預(yù)審范圍,資質(zhì)要求,招標(biāo)清單,報(bào)名申請表等。為保證您能夠順利投標(biāo),具體要求及購買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn),以招標(biāo)業(yè)主的解答為準(zhǔn)本。
編輯:chinabidding.co
序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
1 | 300千伏電子單色雙球差校正透射電子顯微鏡 | 1臺 | TEM信息分辨率:≤110 pm @ 30 kV;≤100 pm @ 60 kV; ≤80 pm @ 200 kV;≤65 pm @ 300 kV;STEM分辨率:≤125 pm @ 30 kV; ≤96 pm @ 60 kV; ≤60 pm @ 200 kV; ≤55pm @ 300 kV;能量分辨率: 50 meV @ 300 kV,25 meV @ 60 kV | |
2 | 200千伏高分辨場發(fā)射透射電鏡 | 1臺 | 電子槍類型:亮度高穩(wěn)定度的冷場場發(fā)射電子槍;TEM信息分辨率:≤ 0.11 nm,STEM分辨率:≤0.14 nm;能譜探測器總立體角:≥ 0.9 srd ;能譜能量分辨率:≤136 eV (Mn-Ka) | |
3 | 聚焦離子束掃描電子顯微鏡(Xe) | 1臺 | 電子束重合點(diǎn)下分辨率:0.6 nm @ 15 kV,1.2 nm @ 1 kV;最佳工作距離下,低電壓分辨率:0.7nm @ 1kV(二次電子);最佳工作距離下,超低電壓分辨率:1.0 nm @ 500 V(二次電子);離子束分辨率:≤10 nm @ 30 kV | |
4 | 多功能高分辨率場發(fā)射掃描電鏡 | 3臺 | 高電壓分辨率:≤0.7 nm @ 15 kV(非減速模式); ≤0.5 nm @ 15kV(減速模式);電壓分辨率:≤0.9 nm @ 1 k V;≤0.8 nm @ 0.5-1 kV (減速模式);電子著陸能量:20 eV 至 30 keV; | |
5 | 多功能環(huán)境真空場發(fā)射掃描電子顯微鏡 | 1臺 | 高真空分辨率:≤1.0 nm @ 30 kV(SE模式);≤2.5 nm @ 30 kV (BSE模式);≤3.0 nm @ 1 kV (SE模式);低真空分辨率:≤1.3 nm @ 30 kV;≤3.0nm @ 3 kV;環(huán)境真空分辨率:≤1.3nm @ 30kV; | |
6 | 超高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡 | 1臺 | 高電壓分辨率≤0.6nm @ 2-15kV(二次電子);低電壓分辨率≤0.7nm @ 1kV(二次電子)(非減速模式);超低電壓分辨率≤1.0nm @ 500V(二次電子)(非減速模式);電子能量波動≤0.2eV;電子槍類型:高分辨肖特基場發(fā)射電子槍,配備單色器組件,或冷場FEG |
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